徐申学对s17系列原型机的表现还是比较满意的，从整体上来看，尤其是性能方面将会继续领跑全球。

毕竟s17手机预计使用的s803芯片，那可是相当强悍的。

但是值得注意的是，虽然智云集团预定在明年大规模量产等效十纳米工艺的s803芯片。

但是台积电那边也顺利完成了等效十纳米工艺的技术认证，并在明年给水果代工新一代芯片，同时高通方面的新一代旗舰芯片骁龙830也会采用等效十纳米工艺，至于是继续找四星代工还是找台积电代工还是个未知数。

因为四星的工艺推进最近几年一直都是落后于智云微电子，智云今年都大规模量产第二代十四纳米工艺，也就是十二纳米工艺了，四星那边是今年才大规模量产第一代十四纳米工艺。

由于四星方面比较注重十四纳米工艺，因此在等效十纳米工艺的推进比较缓慢，虽然说完成了技术验证，但是业内消息传闻良率非常惨淡，因此是否能够在明年上半年准时量产等效十纳米工艺，这其实很难说。

而台积电的话，则是早期走错技术路线，愣是玩了足足两年的十六纳米工艺……水果被他们坑的老惨了。

不过台积电也是发了狠，早早就压住等效十纳米工艺，并顺利在今年完成技术验证，目前已经解决了等效十纳米工艺，明年就能够给水果代工了。

考虑到明年台积电就会量产等效十纳米工艺，四星那边也有一定的可能搞定这一工艺。

因此等到明年，智云集团的等效十纳米工艺是有竞争对手的，同样也意味着s803芯片是有竞争对手的。

因此明年的s17虽然在徐申学看来优势很大，但面临的竞争依旧激烈，马虎不得。

为了了解明年s17系列手机的竞争力，徐申学把智云半导体以及智云微电子这两家核心子公司的负责人都叫了过来，了解等效十纳米工艺的情况以及s803芯片。

明年的s17能不能支棱起来，就得看s803芯片能不能顺利大规模量产，同时确保性能了。

智云微电子的丁成军，则是对自家的等效十纳米工艺信心十足。

“我们的等效十纳米工艺是基于十四纳米工艺的深度研发而来，项目团队已经为这个工艺努力了两年之久。”

“等效十纳米工艺对比我们的等效十四纳米工艺，性能上有了较大幅度的提升，栅极间距从之前的七十纳米，缩小到了六十四纳米，最小金属间距从六十纳米缩小到了四十四纳米。”

“晶体管密度的数量，从之前的第一代十四纳米工艺的三千五百六十万个每平方毫米，提升到了五千三百万个每平方毫米。“

“同时我们还应用了十二纳米工艺里的部分技术，比如通过增加栅极高度，降低漏电概率等技术，这使得我们的芯片在不增加晶体管密度的情况下，做到同等频率性能下，功耗能降低百分之三十以上。”

“这些先进技术，我们也同样应用到了等效十纳米工艺上，进一步提升了性能！”

“综合目前的条件来看，我们的等效十纳米工艺几乎已经是做到了当下技术的极限，台积电以及四星方面是不太可能超过我们的！”

“虽然目前还没有准确的情报，但是他们的等效十纳米工艺在晶体管数量上，应该和我们的等效十纳米工艺差不多，彼此有一些差距，但是不会太大！”

“但是我们在漏电率控制上拥有极大的优势，这一领域里我们从二十八纳米工艺时代开始就长期拥有优势，直到如今依旧如此！”

“这也是我们的一系列低功耗工艺，在性能上长期领先竞争对手的原因之一！”

“而手机各类芯片，尤其是soc芯片，又是属于对功耗最为敏感的芯片种类！”

“因此使用我们的新等效十纳米工艺生产的s803芯片，至少在制造技术上是有优势的！”

“哪怕彼此的晶体管密度差不多，我们也能够依靠漏电率控制方面的领先，在同样的功耗下，把芯片的频率拉的更高；或者同样的频率下，把功耗降低下来！”

智云微电子的丁成军，说话的时候信心非常的充足。

在半导体工艺这一领域上，目前的智云微电子毫无疑问已经成为了全球最顶级的半导体制造厂商，而这种领先可不仅仅是单纯的等效工艺，晶体管密度的领先，其实还有漏电率上的领先。

在先进芯片领域里，晶体管密度以及漏电率控制都是属于芯片工艺里极为重要的技术参数。

而这两点上，智云微电子都有技术优势。

所以丁成军信心充足的很。

一旁的智云半导体的付正阳则是道：“你们的十纳米工艺的确不错，也不枉费我们设计了这么好的s803芯片！”

“徐董，我们的s803芯片，在芯片设计领域是处于领先地位的，我们在这一代芯片上使用了全新的自研构架，天生就是为了s系列手机这种高性能手机而生，同时也容置了更强大的处理核心，能够让我们的s803芯片具备更好的机器学习能力。”

“哪怕是使用同样的芯片代工工艺，我们也敢说我们的s803