第一三八一章 同意出口

机研究院采用ar193n光源，研发一年多，毫无进展。

业界普遍认为193n光刻无法延伸到65n制程工艺，而157n将成为主流光源技术，但157n光刻技术同样遭遇到了来自光刻机透镜的巨大挑战。

业界对下一代光刻机的发展提出了两种路线，一是以尼康和佳能等日本光刻机半导体企业，主张开发波长更低的157n的2准分子激光做为光源；二是gca和英特尔发起建立了euvllc联盟，采用极紫外光源(euv)来提供波长更短的光源。

euvllc联盟中除了gca、英特尔和牵头的美国能源部以外，还有摩托罗拉、ad、ib，以及能源部下属三大国家实验室：劳伦斯利弗莫尔国家实验室、桑迪亚国家实验室和劳伦斯伯克利实验室。

gca光刻机半导体研究院院长兼任光刻机光源研究所所长汤普森院士从1993年7月开始研发euv，gca前后投资了1.5亿美元，也没有取得成功，1997年7月自动放弃了研究。

1997年10月，汤普森院士出面邀请英特尔和美国能源部共同开发euv。

前世，英特尔邀请尼康和asl加入euvllc联盟，但美国政府反对尼康加入，asl做出多重承诺后才得到这个千载难遇的机会，资金到位，技术入场，人才云集，euvllc联盟也花了近20年的时间，第一台可量产的asleuv样机才正式发布。